Обозначение выводод. 1,5,8,12-5аза 2, Б, Э,13-коппектор 3,7,10,14-эмитгпер 15-корпус 4,11-с6о5одный,
Этектрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при С/б = 5 В, = 200 мА при Г = 298 К
2TC6I3A, КТС613А........... 25-100
2ТС613Б, КТС613Ь............ 40 - 200
КТС613В................ 20-120
КТС613Г................ 50-300
прн Г= 358 К
КТС613А ............... 20-200
КТС613Б................ 30-300
КТС613В................ 10-120
КГС613Г................ 30-300
при Г= 398 К
2ТС613А................ 20-200
2ТС613Б................ 30-300
Напряжение насышения коллектор-эмиттер при /к = = 400 мА, /б = 80 мА
2ТС613А, 2ТС613Б не более........ IB
типовое значение.............. 0,5* В
КТС613А, КТС613Б, КТС613В, КТС613Г не более 1,2 В
Зависимость относительной емкости эмиттерного перехода от напряжения эмиттер-база
2ТС613А, 2ТС613Б, КТС613А, КТС613Б, КТС613В, КТС613Г
Транзисторные матрицы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п переключательные
Предназначены для быстродействующих импульсных схем
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса Матрица содержит четыре изолированные транзисторные структуры
Масса матрицы не более 4 г