Камрады, у вас походу путаница в терминологии...
Приведу цитату про сквозной ток.
"При I б = 0 (обрыв базы) в цепи коллектор-эмиттер протекает ток,
называемый сквозным током транзистора Iко * = (β +1)I . Усиление
неуправляемого тока коллекторного перехода Iко в ( β +1) раз объясняется
наличием положительной обратной связи в транзисторе с оборванной базой.
Сущность этого явления заключается в том, что дырки, генерируемые в
области коллекторного перехода, уходят в коллектор, а электроны остаются в
базе. В базе скапливается отрицательный объемный заряд, который не может
выйти из базы в виде тока, так как вывод базы оборван.
В этом случае поле отрицательных объемных зарядов в базе
воздействует на эмиттерный переход, снижая высоту его потенциального
барьера, что приводит к увеличению инжекции дырок из эмиттера в базу.
Некоторая часть инжектированных дырок рекомбинирует с электронами в
базе, уменьшая накопленный заряд, но большая их часть проходит область
базы и втягивается электрическим полем коллекторного перехода в
коллектор, увеличивая ток коллектора.
Равновесие устанавливается в том случае, когда неравновесные
электроны открывают путь в базу в ( β +1) раз большему количеству дырок.
Физические процессы, аналогичные вышеописанным, происходят и при
включении в цепь базы большого сопротивления. Сквозной ток транзистора
влияет на физику работы биполярного транзистора. Особенно это влияние
проявляется в биполярных транзисторах, выполненных на основе
полупроводникового материала германия. Сквозной ток транзистора
большое влияние оказывает на работу германиевых транзисторов большой
мощности. Это проявляется в уменьшении максимально допустимого
напряжения на коллекторе ввиду опасности теплового пробоя коллекторного
перехода."