Обычно ток потребления от отрицательного стабилизатора невелик, поэтому верхний можно оставить без радиатора
и добавил...такая дань олимпиаде - пять снежинок
Кстати, как раз примерно в то время источник и проектировался
и добавил......а чем объясняется выбор...
Несколько комментариев...
О преимуществах металлических герметичных корпусов я писал на форумах несколько лет назад, вкратце повторю.
Есть три основных преимущества герметичных газонаполненных корпусов перед прессованными:
1. Отсутствие механических напряжений при корпусировке. Кристалл устанавливается на алундовом (или ситалловом) основании через термокомпенсатор, от выводов к его контактным площадкам привариваются гибкие проводники и ни с чем более сам кристалл не контактирует. За счет этого исключаются напряжения при опрессовке корпусными материалами и в дальнейшем на два-три порядка уменьшаются мех. напряжения от различныхых тепловых коэффициентов кристалла и материала корпуса в процессе эксплуатации. То есть гарантируется целостность кристалла и отсутствие прогрессирующих микродефектов.
2. Герметичность и на 4-5 порядков лучшая защита от молекул воды, достаточно спокойно проникающих до поверхности кристалла через практически любые полимеры. А для кремниевой пластины контакт с молекулами воды существенно ухудшает состояние поверхностного слоя, что, ведет к деградации параметров кристалла, в частности, растут избыточные НЧ шумы, снижается усиление и граничная частота транзисторов и т.д. Справедливости ради, стоит заметить, что есть ряд технологических мер защиты поверхности, но они, как и любая "медаль" имеют две стороны, да и эффективность их ниже, чем полная герметизация...
3. Дополнительная защита кристалла от ионизирующих излучений, в том числе от естественного фона. Как это ни парадоксально, но при больших временах хранения/работы именно естественный радиационный фон становится очень существенным фактором отказов, как внезапных, так и параметрических, для кристаллов с малоразмерными технологическими структурами. При хранении в 50 лет примерно 20% отказов полупроводниковых кристаллов вызвано именно дефектами структуры от фотовых ионизирующих излучений, накопившихся за это время.