Читаю, что Вы написали, а кажется, что это - вовсе не форум самодельщиков 21-го века, а журнал "Радио" советских времён.
Вы на удивление точно описали мои впечатления от Ваших постов. Поздравляю!
Разве что вспоминается не "Радио", а "В помощь радиолюбителю"
Защитный стабилитрон имеется на кристалле 99.9% мощных MOS и IGBT.
"Хочу в СССР!" (С) Вовочка
Удивлен, что Вам неизвестен факт наличия защитных стабилитронов в затворах мощных MOSFETов, в то время когда Вы их вроде как и применяете. Может Вам на досуге полистать даташиты или аппликухи? И причем здесь СССР тоже непонятно. Как раз в советских приборах первых серий защитных стабилитронов не было.
В этом месте, пожалуйста, поподробнее. Каким это образом сопротивление канала транзистора уменьшится только засчёт стабилитрона между затвором и истоком. На реальном примере, пожалуйста. С учётом конкретного транзистора, силы тока, температурной зависимости его характеристик, SOA.
Странно, что Вы спрашиваете столь очевидные вещи. Во-первых, ГДЕ я написал, что оно УМЕНЬШАЕТЬСЯ. Что это за бред? Неужто я настолько непонятно написал слово "увеличение". Пожалуйста, читайте мои посты внимательнее, если так или иначе на них отвечаете, иначе ответы выглядят смешно. Конкретный транзистор в данном случае непринципиален. Взгляните на семейство выходных характеристик ЛЮБОГО MOSFET и ограничьте это семейство определенной величиной напряжения затвор-исток. Изменяя эту величину проследите, как будет вести себя максимальная величина тока стока. Если встроенный стабилитрон имеет напряжение пробоя 30...40В и выше, то ток стока (в разумных пределах, скажем до момента плавления проводников внутренней разварки кристалла) при больших напряжениях C-И не будет ограничен практически ничем (при малых - сопротивлением канала). Уменьшая напряжение затвор-исток (за счет применения стабилитрона между ними с меньшем, чем у встроенного, напряжением пробоя и при наличии резистора в цепи затвора) можно ограничить максимальный ток стока на заранее заданном уровне. Понятно, что при изменении температуры эта величина будет меняться, но не на порядки, а только на 20...40% (см. любой даташит MOSFET с выходными характеристиками для разных температур)
Здесь тоже, пожалуйста, подробнее, про удобство и грамотность. С указанием реальных рабочих токов, требуемого коэффициента стабилизации и влияния разницы в выходном сопротивлении на конечный результат.
Объяснять очевидные вещи специалисту мне в общем-то неинтересно (банально жалко времени), если у Вас много свободного времени, то не поленитесь привести соответствующие выкладки. С указанием конкретных значений предложенных Вами сопротивлений в истоковой цепи, при условии работоспособности предложенного Вами весьма спорного способа защиты ПТ.
а это важно при работе с малыми токами (по сравнению с типовыми рабочими токами транзистора) - на участке, где крутизна во много раз меньше номинальной.
Тоже хотелось - бы пояснений, грамотных. Кому важно, зачем важно, и в каких пределах.
Прежде пояснений - встречный вопрос: какие цели Вы преследуете, применяя в цепях питания усилителя стабилизатор с истоковым повторителем? Пожалуйста - подробно, с грамотным расчетом требуемых средних величин параметров стабилизатора, их допустимого диапазона изменения и пересчета влияния изменений параметров в эквивалентные изменения параметров самого усилителя.
Моё описание -- необходимого и достаточного.
Увы, это не совсем так... Безусловно общий принцип построения стабилизаторов оно передает верно, но в деталях возможны варианты. О чем я собственно и написал в предыдущем своем посте...
И, само собой, возможны вообще прямо противоположные мнения о применении стабилизаторов, вплоть до их полной недопустимости и, в пределе - недопустимости применения полупроводниковых приборов в ламповых усилителях даже во вспомогательных цепях.