Я когда то ставил в кенотронные панельки диоды. Такого явления не запомнил
А я вот запомнил. Разумеется, оно проявлялось не одинаково, зависело от конструкции, схемы и др. особенностей приемника, Кстати, запомнили его еще авторы десятков книг - от справочников радиолюбителя до монографий по расчету полупроводниковых выпрямителей выпуска 60-х годов, как советских, так и американских/европейских.
Зато запомнил, как взрываютсь электролиты. Резко подымалось анодное.
Это очевидный факт. Его, кстати, учитывали при замене кенотронов на диоды, и, например в ряде блоков ЗРК С-75, с которым я был неплохо знаком, модули замены кенотронов 5Ц3С содержали не только по 3 последовательно соединенных диода Д7Ж, но и выравнивающие резисторы по 470кОм параллельно каждому из последовательных диодов, поглощающие конденсаторы КСО параллельно тройке последовательных диодов и резисторы по 200 Ом последовательно с каждой тройкой для эмуляции внутреннего сопротивления кенотрона.
Только ничего общего с восстановлением диодов не имеет.
В данном случае Вы ошибаетесь.
Если Вы имеете ввиду эффект выброса при закрывании диодов из-за наличия порогового напряжения и индуктивности рассеяния силового трансформатора, то, безусловно, он имеет место, но значимый уровень помех создается только при работе с кремниевыми диодами, у которых есть ярко выраженный эффект порога при включении. У германиевых диодов такого эффекта почти нет, как из-за большого тока омической утечки как в прямом, так и в обратном направлении, так и по причине малой ширины запрещенной зоны германия. В результате процесс открывания германиевых выпрямительных диодов практически непрерывен от нулевого напряжения, а вот обратное восстановление имеет примерно ту же энергию, что и у кремниевых диодов.
Эти особенности работы выпрямителей хорошо видны при наблюдении осциллограмм тока в цепи диодов
с помощью датчиков тока. Осциллограммы напряжений не очень показательны и понять по ним, что происходит гораздо сложнее.
А восстанавливаются диоды не около 0 а ближе к вершине синусоиды.
Это
В ПРИНЦИПЕ не так. Процесс восстановления или рассасывания неосновных носителей в базе, накопленных в прямом проводящем состоянии начинается практически мгновенно (примерно десятки пикосекунд, время зависит от ширины базы) при появлении обратного потенциала, приложенного к переходу и длится до тех пор, пока все носители не будут из базы удалены. В зависимости от особенностей конструкции pn перехода длительность этого процесса составляет от единиц наносекунд у быстровосстанавливающихся диодов до десятков микросекунд у медленных.
Половина периода 50Гц - это 10 миллисекунд, а четверть - т.е. момент максимума синусоиды, - 5мс. ЭТО КАК МИНИМУМ в 500...1000 раз больше, чем время обратного восстановления самых медленных диодов!!!
Процесс восстановления начинается в момент перехода приложенного к диоду напряжения с прямого на обратное и продолжается максимум микросекунды. Это время диод находится в проводящем состоянии и через выпрямитель протекает сквозной ток, величина которого будет определена дифференциальным сопротивлением открытых диодов, величиной заряда обратного восстановления и скоростью нарастания обратного напряжения на диодах, находящихся в процессе восстановления.