рассматривали возможность использования ПТ в качестве регулирующего элемента, но используете БТ.
Это действительно так, более того, не только рассматривал, но и применял в ряде изделий стабилизаторы с рег. элементами в виде МОП-транзисторов. В частности, был у меня такой ЦАП - Lynx30V3 на основе ультрааналоговского модуля D20400, и в этом ЦАПе в стабилизаторах питания применялись IRF640/9640.
Я бы хотел поинтересоваться у Вас есть ли какие нибудь преимущества в использовании ПТ по сравнению с биполярными транзисторами?
Принципиальных нет никаких. Из малозначительных - практическое отсутствие тока в цепи затвора, бОльшая максимально допустимая рабочая температура регулирующих элементов без опасности вторичного пробоя.
Из недостатков, сразу бросается в глаза трудность работы ОУ на высокую емкость затвора MOSFET транзистора.
Как раз это совершенно непринципиальный момент, учитывая очень малые частоты, на которых работает стабилизатор. Да и к тому же транзистор в нем включен истоковым повторителем, это тоже не следует забывать. Гораздо более существенны другие вещи:
1 - высокое пороговое напряжение ПТ. То есть БТ открыт уже при 0.6В база-эмиттер и абсолютное значение напряжения на выходе ОУ составляет Uвых.ст. + 0.6В. Для ПТ напряжение на затворе требуется порядка 2...5В (в зависимости от типа и тока стока), соответственно напряжение на входе ОУ будет Uвых.ст. + (3...5)В. А это означает, что резко увеличивается минимальная разность напряжений вход-выход стабилизатора, при которых он работоспособен.
2 - меньшая крутизна ПТ приводит к тому, что флуктуации выходного напряжения ОУ при изменении тока нагрузки будут намного выше при работе с ПТ, чем с БТ. Что тоже не есть хорошо ч точки зрения режима работы, достижимой собственной линейности и коэффициента стабилизации.
Есть и еще ряд факторов, но они менее значимы и требуют более углубленного пояснения.