Усилители мощности и предусилители > Гибридные

Re: гибридизация усилителя на распростр. деталях

<< < (11/11)

SixtySeven:

--- Цитата: Galogen от 30 Июня 2012, 23:02:23 ---А сколько на выходе можно получить , при нормальном КНИ ?
--- Конец цитаты ---
Максимальная мощность зависит только от твоих возможностей по отведению тепла.

Galogen:
максимальная мощность расеиваемая на IRFP150 150Вт, это значит что при макс мощности, я могу получить половину в звуке ?
Или как правильно считать ?  ???

SixtySeven:

--- Цитата: Galogen от 30 Июня 2012, 23:12:27 ---максимальная мощность расеиваемая на IRFP150 150Вт
--- Конец цитаты ---
На эти максимальные паспортные данные не смотри,эти 150ватт означают критический режим,то есть транзистору через минуту кирдык!
Реально делить на 2.
Для 100 ватт на 4 ома, получается около 7А ток покоя нужен и 60-65 вольт,то есть 420-450 ватт рассеиваемых.
Для 50 ватт  на 4 ома, 5А и около 50 вольт.
Теоретический КПД 25%, в реальности чуть меньше получается.


Гocть:

--- Цитата: SixtySeven от 30 Июня 2012, 23:30:33 ---На эти максимальные паспортные данные не смотри,эти 150ватт означают критический режим,то есть транзистору через минуту кирдык!
--- Конец цитаты ---

Нет, не кирдык, если температура кристалла равна 25 градусам по Цельсию. Кроме этой цифры в даташите ещё есть формула, либо график, по которым надо смотреть, как снижается максимально допустимая мощность с повышением температуры.




и добавил...

--- Цитата: Galogen от 30 Июня 2012, 23:02:23 ---Наверное всё же по Чуффоле нужно собирать.
А сколько на выходе можно получить , при нормальном КНИ ?
(Извините, но у Вас нет доступа в Галерею)


--- Конец цитаты ---

На выходе мощность ограничивается размахом напряжения. Амплитудное значение не может быть выше половины напряжения питания за вычетом запаса на транзистор.
При этом ток покоя должен равняться в данном конкретном усилителе пиковому значению выходного тока.  Дели половину напряжения питания на сопротивление нагрузки.
Посчитать мощность отсюда - простая арифметика, справишься. И рассеиваемую на каждом транзисторе, и мксимальную в нагрузке.



и добавил...

--- Цитата: SixtySeven от 30 Июня 2012, 22:48:55 ---
--- Цитата: Гocть от 30 Июня 2012, 22:37:58 ---В стабилизаторах напряжения ёмкости зашунтированы низким динамическим сопротивлением стабилизатора.
--- Конец цитаты ---
Если это так,то зачем тогда их величина обычно в несколько десятков тысяч микрофарад.


--- Конец цитаты ---

Это так не только обычно, но и как правило, и даже как на самом деле. А зачем после стабилизатора несколько десятков тысяч микрофарад - надо спрашивать автора. Который ответит, что конденсатором шунтируются регуляторы, а регуляторами - конденсаторы, и в каком месте тела автор проводит талию - как его левая нога пожелает. :D


Навигация

[0] Главная страница сообщений

[*] Предыдущая страница

Перейти к полной версии